Výrobca Číslo produktu:
TSM3N100CP ROG
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM3N100CP ROG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 2.5A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventár:
12896875
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM3N100CP ROG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
664 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
99W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TSM3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
TSM3N100CP ROGCT-DG
TSM3N100CP ROGDKR
TSM3N100CP ROGCT
TSM3N100CP ROGTR
TSM3N100CP ROGDKR-DG
TSM3N100CP ROGTR-DG
TSM3N100CPROGCT
TSM3N100CPROGDKR
TSM3N100CPROGTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD3NK100Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1359
ČÍSLO DIELU
STD3NK100Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.95
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMT8012LPS-13
MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060
TSM130NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
TSM60NB380CP ROG
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252